[RpL 892] Fwd: seminar 11.11.2015

[Dmitry Morozov]

Begin forwarded message:

> From: Dmitry Khokhlov <khokhlov на mig.phys.msu.ru>
> Date: 27 October 2015 at 23:23:44 GMT-7
> To: Dmitry Khokhlov <khokhlov на mig.phys.msu.ru>
> Subject: seminar 11.11.2015
> Reply-To: Dmitry Khokhlov <khokhlov на mig.phys.msu.ru>
> 
> Дорогие коллеги!
> 
> Физический     факультет     МГУ     имени    М.В.    Ломоносова     и
> Научно-образовательный  центр  по нанотехнологиям МГУ проводят научный
> семинар по физике конденсированного состояния. На семинар приглашаются
> все  желающие. Пропуск на физический факультет слушателей семинара, не
> являющихся   студентами,   аспирантами   или  сотрудниками  МГУ  будет
> осуществляться  при  предъявлении паспорта при условии предварительной
> записи      на      семинар      через      интернет      на     сайте
> http://wasp.phys.msu.ru/physlectures/registration/
> (до 15:00 дня семинара).
> 
> Для  расширения  возможностей  участия в семинаре будет вестись прямая
> он-лайн         трансляция         заседаний         через        сайт
> http://wasp.phys.msu.ru/physlectures/onlineseminar/    .   Видеозапись
> семинара впоследствии будет доступна на сайте
> http://cm.phys.msu.ru/?q=seminar
> 
> 11 ноября 2015 г. в 17:00 .
> Аудитория  – многофункциональный зал библиотеки физического факультета
> МГУ, 5 этаж. 
> 
> Сергей Анатольевич Тарасенко
> (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург)
> 
> "Двумерные  и  трехмерные  топологические изоляторы на основе структур
> HgTe/CdHgTe" 
> 
> На   поверхности   кристалла   или   гетерогранице   могут   возникать
> локализованные   состояния,  обусловленные  нарушением  периодического
> потенциала.  Особый  класс  диэлектрических  трехмерных  (и двумерных)
> кристаллов,  имеющих устойчивые к возмущениям проводящие поверхностные
> (краевые)  состояния  получили  название  топологических изоляторов. В
> докладе дан краткий обзор современного состояния физики топологических
> изоляторов,  представлены  результаты  наших  исследований электронной
> структуры  и  фотогальванических  эффектов  в  двумерных  и трехмерных
> топологических   изоляторах   на  основе  гетероструктур  HgTe/CdHgTe.
> Обсуждаются эффекты, обусловленные отсутствием центра пространственной
> инверсии  в  гетероструктурах,  в  том  числе связанные со смешиванием
> легких и тяжелых дырок на интерфейсах.           
> 
> С уважением,
> 
> Дмитрий Хохлов
> 
> 
> __________________________
> Prof. Dmitry Khokhlov
> Physics Department
> Moscow State University
> Moscow 119991
> Russia
> 
> Tel. +7-(495)-939-1151
> Fax  +7-(495)-932-8876
> E-mail: khokhlov на mig.phys.msu.ru
>