[RpL 660] Fwd: seminar 19.03.2014

[Dmitry Morozov]

Begin forwarded message:

> From: Dmitry Khokhlov <khokhlov на mig.phys.msu.ru>
> Date: 7 March 2014 07:43:46 GMT
> To: Dmitry Khokhlov <khokhlov на mig.phys.msu.ru>
> Subject: seminar 19.03.2014
> Reply-To: Dmitry Khokhlov <khokhlov на mig.phys.msu.ru>
> 
> Дорогие коллеги!
> 
> Физический     факультет     МГУ     имени    М.В.    Ломоносова     и
> Научно-образовательный  центр  по нанотехнологиям МГУ проводят научный
> семинар по физике конденсированного состояния. На семинар приглашаются
> все  желающие. Пропуск на физический факультет слушателей семинара, не
> являющихся   студентами,   аспирантами   или  сотрудниками  МГУ  будет
> осуществляться  при  предъявлении паспорта при условии предварительной
> записи      на      семинар      через      интернет      на     сайте
> http://nano.msu.ru/education/seminars (до 15:00 дня семинара).
> 
> Для  расширения  возможностей  участия в семинаре будет вестись прямая
> он-лайн         трансляция         заседаний         через        сайт
> http://nano.msu.ru/video.php . Видеозапись семинара впоследствии будет
> доступна     на     сайтах     http://cm.phys.msu.ru/?q=seminar    или
> http://nano.msu.ru/research/seminars/condensed/seminars
> 
> 19 марта 2014 г. в 17:00 .
> Аудитория  – многофункциональный зал библиотеки физического факультета
> МГУ, 5 этаж. 
> 
> Игорь Сергеевич Бурмистров
> (Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН)
> 
> "Эффекты  взаимодействия  и  беспорядка  в  тонких  плёнках трёхмерных
> топологических изоляторов" 
> 
> В   докладе   будет   представлена   теория   квантовых   поправок  от
> интерференции     (слабая     антилокализация)    и    межэлектронного
> взаимодействия    (поправки   Аронова-Альтшулера)   для   электронного
> транспорта   в   диффузионном  режиме  на  поверхности  тонких  пленок
> трёхмерных  топологических  изоляторов. Рассмотрен общий случай разных
> поверхностных концентраций носителей, различных коэффициентов диффузии
> для носителей на противоположных сторонах пленки, и некоррелированного
> на разных поверхностях пленки беспорядка. Показано, что взаимодействие
> между  электронами  на верхней и нижней поверхностях пленки приводит к
> качественно  новому  поведению  поверхностной проводимости как функции
> температуры,  по  сравнению  со  случаем массивного образца: возникает
> режим    немонотонного    с   температурой   изменения   поверхностной
> проводимости.  Также проведено сравнение между поведением проводимости
> на  поверхности  тонкой  пленки топологического изолятора и двумерного
> электронного  газа  в двойной квантовой яме с сильным спин-орбитальным
> взаимодействием.               
> 
> С уважением,
> 
> Дмитрий Хохлов
> 
> 
> __________________________
> Prof. Dmitry Khokhlov
> Physics Department
> Moscow State University
> Moscow 119991
> Russia
> 
> Tel. +7-(495)-939-1151
> Fax  +7-(495)-932-8876
> E-mail: khokhlov на mig.phys.msu.ru
>