[RpL 1240] Re: Семинар

[Anna Kardakova]

Уважаемые коллеги,

На этой неделе научный семинар состоится в четверг 13 февраля в 17:00.

Докладчик:  Евгений Тихонов (научный сотрудник ИФТТ РАН и доцент 
факультета физики ВШЭ)


Тема семинара: "*Спектральное и пространственное разрешение электронных 
состояний из флуктуаций тока* "

Проблема термометрии на наноуровне и контроля неравновесных тепловых 
конфигураций привлекает значительное внимание. Наряду с прямыми 
тепловыми измерениями и термометрами, основанными на NV-центрах в алмазе 
и СКВИДах, привлекательно также выглядит и шумовая термометрия, не в 
последнюю очередь благодаря первичности такого метода. Более того, 
шумовые локальные измерения с использованием сенсора с пренебрежимо 
малым неупругим рассеянием могут предоставить даже спектральное 
разрешение неравновесных конфигураций [1], что является прямым 
следствием Ферми-Дираковской статистики электронов в резервуаре сенсора. 
Такой подход не опирается ни на какие спектральные особенности сенсора 
[2] и применим, поэтому, практически к любой электронной системе.


Я представлю результаты измерений неравновесной локальной функции 
распределения с использованием в качестве сенсора туннельного перехода 
[3] или полупроводникового InAs-нанопровода [4]. При использовании 
туннельного перехода мы демонстрируем неравновесную двуступенчатую 
функцию распределения в металлических полосках длиной несколько микрон 
при протекании через них тока при базовой темературе 30 мК. В случае 
алюминиевых полосок функция распределения не зависит от величины 
магнитного поля и сохраняется вплоть до базовых температур 0.5 К, в то 
время как в медных полосках двуступенчатая функция распределения 
проявляется только в магнитном поле масштаба 3 Тл, а в нулевом поле 
близка к локально равновесной. Используя в качестве сенсора InAs 
нанопровод, мы применили этот практически неинвазивный подход для 
первичных измерений температурных градиентов при изучении 
термоэлектрического отклика нанопроводов [5].


[1] T. Gramespacher and M. Buettiker, Phys. Rev. B 60, 2375 (1999)

[2] H. Pothier et al., Phys. Rev. Lett. 79, 3490 (1997)

[3] E.S. Tikhonov et al., arXiv:2001.07563

[4] E.S. Tikhonov et al., Sci. Rep. 6, 30621 (2016)

[5] E.S. Tikhonov et al., Semicond. Sci. Technol. 31, 104001 (2016)





Приглашаются все желающие.

С уважением,
Анна Кардакова