[RpL 539] Fwd: seminar 10.04.2013

Dmitry Morozov dmor на rplab.ru
Ср Апр 3 12:36:06 MSK 2013


Begin forwarded message:

> From: Dmitry Khokhlov <khokhlov на mig.phys.msu.ru>
> Date: 3 April 2013 17:24:19 GMT+09:00
> To: khokhlov на mig.phys.msu.ru
> Subject: seminar 10.04.2013
> Reply-To: Dmitry Khokhlov <khokhlov на mig.phys.msu.ru>
> 
> Дорогие коллеги!
> 
> Физический     факультет     МГУ     имени    М.В.    Ломоносова     и
> Научно-образовательный  центр  по нанотехнологиям МГУ проводят научный
> семинар по физике конденсированного состояния. На семинар приглашаются
> все  желающие. Пропуск на физический факультет слушателей семинара, не
> являющихся   студентами,   аспирантами   или  сотрудниками  МГУ  будет
> осуществляться  при  предъявлении паспорта при условии предварительной
> записи      на      семинар      через      интернет      на     сайте
> http://nano.msu.ru/education/seminars (до 15:00 дня семинара).
> 
> Для  расширения  возможностей  участия в семинаре будет вестись прямая
> он-лайн         трансляция         заседаний         через        сайт
> http://nano.msu.ru/video.php . Видеозапись семинара впоследствии будет
> доступна     на     сайтах     http://cm.phys.msu.ru/?q=seminar    или
> http://nano.msu.ru/research/seminars/condensed/seminars
> 
> 10 апреля 2013 г. в 17:00 .
> Аудитория  – многофункциональный зал библиотеки физического факультета
> МГУ, 5 этаж. 
> 
> Юрий Ефремович Лозовик
> (Институт спектроскопии РАН, Троицк)
> 
> "Новый класс веществ - топологические изоляторы"
> 
> Доклад  посвящен   обзору  необычных  свойств  нового класса веществ –
> топологических   изоляторов.   Новой   парадигмой   является  то,  что
> топологические  изоляторы  связаны  не  с   возникновением спонтанного
> нарушения  симметрии  в  кристалле  и  связанного  с ним возникновения
> параметра   порядка,   а   с  появлением  топологического  инварианта.
> Обсуждается  аналогия  свойств  топологических изоляторов и квантового
> эффекта  Холла.  В  трехмерных  ( сильных) топологических изоляторах в
> объеме имеется щель в спектре, но на поверхности они имеют бесщелевые,
> топологически   защищенные   поверхностные   электронные  состояния  с
> нулевыми  эффективными  массами  электронов  и  дырок (как в графене).
> Электроны  на  поверхности  топологического  изолятора   имеют жесткую
> корреляцию  направления  спина  и  импульса  – их спин перпендикулярен
> импульсу, и это свойство подтверждено экспериментально. Это приводит к
> необычным    свойствам   коллективных   возбуждений   на   поверхности
> топологических  изоляторов  -  связанным  волнам  плотности  заряда  и
> плотности    спина    (спин-плазмонам).    Обсуждается    квантованный
> магнитоэлектрический эффект  в топологических изоляторах и связанные с
> ним киральные элементарные возбуждения и киральные оптические отклики,
> а  также  возможные  применения  этого  эффекта для записи информации.
> Обсуждаются   свойства  дионов  –“связанных” состояний  электронов над
> поверхностью   топологических   диэлектриков  (с  открытой  магнитными
> примесями  щелью)  и  магнитных монополей изображения, соответствующих
> наведенной электронами магнитной поляризации.                      
> 
> С уважением,
> 
> Дмитрий Хохлов
> 
> 
> __________________________
> Prof. Dmitry Khokhlov
> Physics Department
> Moscow State University
> Moscow 119991
> Russia
> 
> Tel. +7-(495)-939-1151
> Fax  +7-(495)-932-8876
> E-mail: khokhlov на mig.phys.msu.ru
> 





Подробная информация о списке рассылки hi-all